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摘要:
概要介绍了宽禁带半导体器件的近期发展情况.AlGaN/GaN微波功率HEMT、蓝光激光器和紫外探测器在军用电子系统中具有特殊重要的应用价值,同时在民用领域也有良好的应用前景和广阔的市场.简要描述了它们的技术特点,以及在相控阵雷达、电子战系统、精确制导、水下光通信和探测系统中的应用前景.
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文献信息
篇名 宽禁带半导体器件的发展
来源期刊 中国电子科学研究院学报 学科 工学
关键词 宽禁带半导体器件 相控阵雷达 电子战系统 水下光通信 精确制导
年,卷(期) 2006,(1) 所属期刊栏目 综述
研究方向 页码范围 6-10
页数 5页 分类号 TP3
字数 5427字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1673-5692.2006.01.004
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 毕克允 中国公司电子科学研究院 1 43 1.0 1.0
2 李松法 1 43 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
宽禁带半导体器件
相控阵雷达
电子战系统
水下光通信
精确制导
研究起点
研究来源
研究分支
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相关学者/机构
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2006
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