Si基外延GaN中位错的光助湿法化学显示

• 作者: 冯玉春 刘彩池 孙世龙 徐岳生 朱军山 滕晓云 王海云 赵丽伟 郝秋艳 郭宝平
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 湿法化学腐蚀 六角腐蚀坑
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1046-1050
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 2997字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.06.019

摘要

采用1000W卤钨灯作为光源,对GaN外延膜在KOH溶液中进行化学腐蚀,以显示晶体位错.采用扫描电子显微镜、原子力显微镜观察位错密度及表面形貌,得到了清晰的腐蚀图形.提出了腐蚀机理,光照激发位错处产生电子-空穴对,加速位错处的腐蚀速率.GaN表面出现了大量的六角腐蚀坑(位错露头).优化了KOH溶液的腐蚀条件.