146Ce核的八级形变带和准γ带

• 作者: A.V. Ramayya J.H. Hamilton J.K. Hwang J.O. Rasmussen Y. X. Luo 丁怀博 朱胜江 李明亮 车兴来 陈永静
• 来源期刊: 高能物理与核物理
• 学科: 物理学
• 关键词: 高自旋态 八级形变带 准γ带 壳模型
• 年，卷（期）: 2006,（8）
• 所属期刊栏目: 核与重离子物理
• 页码范围: 740-744
• 页数: 5页
• 分类号: O57
• 字数: 280字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0254-3052.2006.08.007

摘要

通过测量252Cf自发裂变所产生的瞬发γ射线,对146Ce核的高自旋结构进行了重新研究,结果更新了以前报道的能级纲图,把八级形变集体带扩展到更高的自旋,并且重新构建了可能的准γ带结构.此外,用反射不对称壳模型(RASM)对146Ce核的八级形变带进行了计算,低自旋处的计算结果与实验数据符合得很好.