转让90nm DRAM沟槽技术英飞凌携手中芯国际跨入90nm时代

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李敏

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篇名	转让90nm DRAM沟槽技术英飞凌携手中芯国际跨入90nm时代
来源期刊	电子测试	学科
关键词
年，卷（期）	2006,（2）	所属期刊栏目	厂商特写
研究方向		页码范围	86
页数	1页	分类号
字数	1097字	语种	中文
DOI	10.3969/j.issn.1000-8519.2006.02.019