纳米MOSFET迁移率解析模型

• 作者: 代月花 孙家讹 柯导明 胡媛 陈军宁
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 玻尔兹曼方程 纳米MOSFET 迁移率 沟道有效电场
• 年，卷（期）: 2006,（11）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 6090-6094
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3987字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.11.086

摘要

从玻尔兹曼方程出发,重新计算了纳米MOSFET沟道内的载流子所服从的分布函数,特别是考虑了纳米MOSFET横向电场和纵向电场之间的相互作用,并且以得到的非平衡状态下的分布函数为基础,考虑载流子寿命和速度的统计分布,给出了纳米MOSFET载流子迁移率的解析表达式.通过与数值模拟结果进行比较和分析,该迁移率解析模型形式简洁、物理概念清晰,且具有相当精度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	柯导明	安徽大学电子科学与技术学院	83	423	10.0	17.0
2	陈军宁	安徽大学电子科学与技术学院	160	1135	16.0	26.0
3	孙家讹	安徽大学电子科学与技术学院	10	16	2.0	4.0
4	代月花	安徽大学电子科学与技术学院	34	113	6.0	8.0
5	胡媛	安徽大学电子科学与技术学院	10	58	4.0	7.0