基于多值逻辑方法的二值神经元MOS电路设计技术

• 作者: 杭国强
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 开关理论 神经元MOS电路 多输入浮栅MOS电路 控阈技术
• 年，卷（期）: 2006,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1316-1320
• 页数: 5页
• 分类号: TN432
• 字数: 2623字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.07.032

摘要

提出一种通过引入多值求和信号指导设计二值神经元MOS电路的方法.对每个神经元MOS管的逻辑功能均采用传输开关运算予以表示.在此基础上设计了实现常用二变量逻辑函数的神经元MOS电路和全加器等电路.采用所提出的方法综合得到的电路结构十分简单,而且很容易确定各耦合电容之间的取值比例.设计结果同时表明,利用浮栅电压信号易于实现求和的优点,通过引人求和辅助变量可显著简化对电路的综合过程.采用TSMC0.35μm双层多晶硅CMOS工艺参数的HSPICE模拟结果验证了所提出设计方案的正确性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杭国强	浙江大学信息与电子工程学系	43	205	7.0	12.0