高散热变k介质埋层SOI高压功率器件

• 作者: 张波 李肇基 罗小蓉
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SOI 低k介质埋层 纵向电场 击穿电压 自热效应
• 年，卷（期）: 2006,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1832-1837
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 3282字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.10.027

摘要

针对常规SOI器件纵向耐压低和自热效应两个主要问题,提出了变k介质埋层SOI(variable k dielectric buried layer SOI,VkD SOI)高压功率器件新结构.该结构在高电场的漏端采用低k介质以增强埋层电场,在高电流密度的源端附近采用高热导率的氮化硅埋层,从而器件兼具耐高压和降低自热效应的优点.结果表明,对于k1=2,k2=7.5(Si3N4),漂移区厚2μm,埋层厚1μm的器件,埋层电场和器件耐压分别达212V/μm和255V,比相同厚度的常规SOI器件的埋层电场和耐压分别提高66%和43%,最高温度降低52%.