碳纳米管阴极场致发射的电场数值模拟

• 作者: 刘一婷 刘兴辉 成胜利 朱长纯 李玉魁
• 来源期刊: 辽宁大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 碳纳米管 场致发射 数值模拟 电场强度
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 页码范围: 168-171
• 页数: 4页
• 分类号: TB303
• 字数: 2294字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5846.2006.02.023

摘要

利用Visual FORTRAN语言,对碳纳米管阴极的外电势分布和电场强度分布进行了数值模拟.采用非等间距的网格划分对碳纳米管尖端附近进行细致的划分处理,并利用等参有限元方法进行了模拟计算.分析了碳纳米管尖端局部电场强度的增强效应和相邻碳纳米管之间的电场屏蔽现象.讨论了碳纳米管电场强度随管间距变化的关系以及碳纳米管尖端电场强度随半径变化的关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱长纯	西安交通大学电子信息与工程学院	215	2372	22.0	41.0
2	李玉魁	中原工学院电子信息学院	23	81	5.0	7.0
3	刘兴辉	辽宁大学物理系	36	128	6.0	10.0
4	成胜利	中原工学院电子信息学院	4	10	2.0	3.0
5	刘一婷	辽宁大学物理系	3	20	2.0	3.0