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摘要:
对甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备的微晶硅薄膜太阳电池进行了研究.喇曼测试结果显示:微晶硅薄膜太阳电池在p/i界面存在着一定的非晶孵化层.孵化层的厚度随硅烷浓度的增加或辉光功率的降低而增大.可以通过适当的硅烷浓度或适当的辉光功率来降低孵化层的厚度.
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单室
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p型微晶硅薄膜的沉积及其在微晶硅薄膜太阳电池中的应用
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太阳电池
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 微晶硅薄膜太阳电池中孵化层研究
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 微晶硅薄膜太阳电池 孵化层 喇曼光谱
年,卷(期) 2006,(6) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 1030-1033
页数 4页 分类号 TN304.1
字数 1937字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.06.015
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研究主题发展历程
节点文献
微晶硅薄膜太阳电池
孵化层
喇曼光谱
研究起点
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引文网络交叉学科
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期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
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