taC:N电极的制备及其电化学行为初步研究

• 作者: 刘姝 汪正浩 王广甫
• 来源期刊: 电化学
• 学科: 化学
• 关键词: taC:N电极 欧姆接触 循环伏安法
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 338-340
• 页数: 3页
• 分类号: O646
• 字数: 1696字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-3471.2006.03.021

摘要

taC:N膜是一种具有潜力的半导体电极材料,但该电极制作中存在基底硅片与导线间的欧姆接触问题.根据高温处理对taC:N膜性质的影响,本文先在硅片上制作欧姆接触,再沉积taC:N膜,并由此得到了一批具有不同含氮量的taC:N电极.循环伏安测试表明,膜中氮含量的增加只使阴极背景极限正移,而对阳极背景极限几乎没有影响,电化学窗口也因此而变窄.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王广甫	北京师范大学测试中心	45	220	7.0	13.0
2	汪正浩	北京师范大学化学学院	8	43	3.0	6.0
3	刘姝	北京师范大学化学学院	1	1	1.0	1.0