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摘要:
利用InGaAs/InGaAsP应变量子阱外延层材料制作出高功率半导体激光列阵模块.激光芯片宽1 cm,腔长1 200 μm,条宽200 μm,填充密度为50%,前后腔面光学膜分别为单层Al2O3和Al2O3/5(HfO2/SiO2)/HfO2,室温连续输出功率达到68.5 W,器件光谱中心波长为1 059 nm,光谱宽度(FWHM)为9 nm.
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文献信息
篇名 68.5 W连续输出1 060 nm波段半导体激光列阵模块
来源期刊 光学精密工程 学科 工学
关键词 半导体激光器 高功率激光器 列阵模块 高反膜 增透膜
年,卷(期) 2006,(1) 所属期刊栏目 现代应用光学
研究方向 页码范围 8-11
页数 4页 分类号 TN248.4
字数 1965字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1004-924X.2006.01.002
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研究主题发展历程
节点文献
半导体激光器
高功率激光器
列阵模块
高反膜
增透膜
研究起点
研究来源
研究分支
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
光学精密工程
月刊
1004-924X
22-1198/TH
大16开
长春市东南湖大路3888号
12-166
1959
chi
出版文献量(篇)
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10
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