碳化硅晶须与微颗粒制备及性能研究

• 作者: 华小虎 彭龙贵 曾志飞 王晓刚 薛征峰
• 来源期刊: 矿冶
• 学科: 物理学
• 关键词: 碳化硅 制备方法 无限微热源法 性能
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 冶金与材料科学
• 页码范围: 41-44
• 页数: 4页
• 分类号: O741+.3
• 字数: 2381字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-7854.2006.03.010

摘要

目前生产SiCw(碳化硅晶须)和SiCP(碳化硅颗粒)的方法主要有气相反应法和固体材料法两大类.气相反应法中应用最为普遍的是气相沉积法(CVD法);固体材料法生产SiCw主要有气(V)-液(L)-固(S)反应法(简称VLS法)和气(V)-固(S)反应法(简称VS法).固体材料法生产出的碳化硅产品尤其是SiCw,主要用作高强度、高硬度结构材料的增强、增韧.使用SiCw与SiCp增韧、增强的材料,可广泛用于航空航天、军事和民用等众多工业领域.本文采用VLS法,在无限微热源炉中成功合成了碳化硅晶须,运用SEM,XRD,Zeta等分析测试技术对SiCw的形态、显微结构和Zeta电位等性能进行了研究.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王晓刚	西安科技大学材料科学与工程系	139	838	15.0	23.0
2	彭龙贵	西安科技大学材料科学与工程系	37	156	7.0	9.0
3	曾志飞		8	37	4.0	6.0
4	华小虎	西安科技大学材料科学与工程系	32	81	5.0	7.0
5	薛征峰	西安科技大学材料科学与工程系	1	3	1.0	1.0