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摘要:
通过对多种阻挡层特性的分析,选定了熔点高、化学稳定性好、电阻率低的TiN薄膜作为门极换向晶闸管阳极的阻挡层.采用磁控溅射技术生长的TiN,经俄歇电子谱仪分析表明,TiN阻挡层系统能有效地阻挡硅和铝的相互扩散,可作为门极换向晶闸管阳极理想的阻挡层材料.
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文献信息
篇名 门极换向晶闸管(GCT)扩散阻挡层的研究
来源期刊 辽宁大学学报(自然科学版) 学科 工学
关键词 扩散阻挡层 门极换向晶闸管 金属化
年,卷(期) 2006,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 289-291
页数 3页 分类号 TN312
字数 1842字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-5846.2006.04.001
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 卢雪梅 辽宁大学物理系 8 12 2.0 3.0
2 吴春瑜 辽宁大学物理系 56 150 6.0 9.0
3 白永生 辽宁大学教务处 10 26 3.0 5.0
4 刘一婷 辽宁大学物理系 3 20 2.0 3.0
5 张馨芳 辽宁大学物理系 3 1 1.0 1.0
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扩散阻挡层
门极换向晶闸管
金属化
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