退火温度与ZAO透明导电薄膜晶体结构及特性关系的研究

• 作者: 叶勤 吴奎
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 射频磁控溅射 ZAO薄膜 结构 退火温度
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 195-199
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+1
• 字数: 3427字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2006.03.008

摘要

用射频磁控溅射ZAO陶瓷靶的方法在石英衬底上成功制备了ZAO透明导电薄膜.用X射线衍射仪(XRD)、紫外可见(UV-Vis)分光光度计、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)等手段,研究了薄膜的晶体结构、光学禁带宽度、表面和断面形貌与退火温度的变化关系.结果表明,低温段300℃以下退火的薄膜c轴较ZnO体材料有拉长现象;高温度段500℃到600℃退火的薄膜的晶粒直径变化平稳,其中500℃退火时,c轴也有拉长的效应,且形成良好的c轴趋向柱状晶薄膜;250℃退火时薄膜的光学禁带宽度最大,薄膜表面均匀致密,晶粒充分团聚结晶.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶勤	暨南大学物理系	37	351	11.0	16.0
2	吴奎	暨南大学物理系	7	58	5.0	7.0