p-CZT的钝化处理和C-V特性研究

• 作者: 介万奇 付莉 李强 杨戈 查刚强 汪晓芹
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: Au/CZT接触 钝化 C-V特性
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 306-308
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.26
• 字数: 1344字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2006.03.023

摘要

采用NH4F/H2O2作为p-CZT晶片的表面钝化剂,对未钝化与钝化表面处理的p-CZT晶片的C-V特性进行了对比研究.用XPS分析了钝化前后CZT晶体表面成分,发现钝化后CZT晶片表面形成厚度为3.1 nm的TeO2氧化层.用Agilent 4294A高精度阻抗分析仪,在1 MHz下对未钝化的和钝化的CZT晶片进行C-V测试.对测试结果的计算表明,钝化提高了Au与CZT接触的势垒高度(∮)b.未钝化的(∮)b为1.393 V,钝化后(∮)b变为1.512 V.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	介万奇	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	272	1636	19.0	27.0
2	李强	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	116	784	15.0	18.0
3	杨戈	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	5	16	2.0	3.0
4	查刚强	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	3	2	1.0	1.0
5	汪晓芹	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	8	24	2.0	4.0
6	付莉	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	1	2	1.0	1.0