MOS管器件击穿机理分析

• 作者: 郑若成
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 击穿 场强 SNAP BACK
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 36-39,35
• 页数: 5页
• 分类号: TN406
• 字数: 3287字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2006.04.009

摘要

讨论了MOS管击穿的分类,以及击穿时场强分布情况,在此基础上,列举和分析了MOS管击穿的发生区域,主要是结击穿和漏区击穿.文章对雪崩击穿和穿通击穿机理进行了描述,并对MOS管开启击穿进行了分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑若成		20	44	4.0	5.0