Fex-C1-x/Si颗粒膜的巨磁电阻效应

• 作者: 章晓中 薛庆忠
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 物理学
• 关键词: 磁电阻 碳膜 硅
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 429-431
• 页数: 3页
• 分类号: O441
• 字数: 2459字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2006.04.001

摘要

利用激光脉冲沉积(PLD)方法制备了沉积于硅基片上的掺杂过渡金属的非晶碳膜结构Fex-C1-x/Si.Fex-C1-x/Si的磁电阻(MR)可正可负,随温度而变化.当温度T＜258 K时,Fe0.011-C0.989/Si的MR为负值;当258 K＜T＜340 K时,该材料的MR为正值,在室温磁场为1 T时,该材料的正MR可以大于20%.且在不同的温度范围中,该材料的MR和外加磁场的依存关系呈现出不同的特点:在T=280和300 K时,当磁场小于1 T时,MR随磁场的增加而快速增加,之后随磁场的继续增加MR增加开始变得缓慢;在T=350 K时,MR近似以磁场的B1.5的规律变化;而在T=30 K时,MR为负值且其大小随磁场的增加而减小.利用双通道模型对该MR效应进行了初步解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	章晓中	清华大学材料科学与工程系先进材料教育部重点实验室	13	134	5.0	11.0
2	薛庆忠	清华大学材料科学与工程系先进材料教育部重点实验室	2	6	2.0	2.0