EB-PVD工艺中基板温度对材料形成过程的影响

• 作者: 单英春 李垚 李明伟 赫晓东
• 来源期刊: 宇航材料工艺
• 学科: 航空航天
• 关键词: EB-PVD 薄膜生长 基板温度 跃迁概率
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 新材料新工艺
• 页码范围: 41-44
• 页数: 4页
• 分类号: V25
• 字数: 3109字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2330.2006.01.009

摘要

针对电子束物理气相沉积(EB-PVD)设备的特点,研究基板温度对材料形成过程的影响.首先建立薄膜生长的基本扩散模型,然后用嵌入原子法(EAM)计算扩散激活能,以入射粒子跃迁概率表征入射原子在表面上的稳定程度,研究基板温度对低能Ni在Ni表面上扩散过程的影响.分别在较低(250～450K)和较高(750～1 000 K)两种温度下进行上述计算.研究结果表明,基板温度对跃迁概率的影响存在临界值,Ni为375 K;当基板温度低于375 K时,基板温度对跃迁概率影响很小,而当基板温度高于375 K时,跃迁概率随基板温度增加呈指数增长;基板温度较低(Ni低于375 K)时入射原子在表面上不扩散,易形成多孔疏松状材料,而较高的基板温度则有利于密实材料的形成.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赫晓东	哈尔滨工业大学复合材料与结构研究所	187	2763	28.0	42.0
2	李垚	哈尔滨工业大学复合材料与结构研究所	85	1272	18.0	32.0
3	李明伟	哈尔滨工业大学复合材料与结构研究所	62	516	11.0	21.0
4	单英春	哈尔滨工业大学复合材料与结构研究所	3	8	2.0	2.0