掩埋隧道结在长波长VCSEL结构中的应用

• 作者: 刘成 劳燕锋 吴惠桢 曹萌 黄占超
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 隧道结 垂直腔面发射激光器 光电特性
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 309-313
• 页数: 5页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 2775字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.076

摘要

采用气态源分子束外延技术在InP(100)衬底上分别生长了δ掺杂的p+-AlIn-As-n+-InP和p+-InP-n+-InP两种隧道结结构,用电化学C-V和I-V特性曲线表征了载流子浓度和电学特性,发现p+-AlInAs-n+-InP隧道结性能优于p+-InP-n+-InP隧道结.在InP(100)衬底上生长了包含p+-AlInAs-n+-InP掩埋隧道结和多量子阱有源层的1.3μm垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构,测试得出其开启电压比普通的pin结VCSEL小,室温下其电致发光谱波长为1.29μm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘成	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	56	294	8.0	15.0
5	劳燕锋	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	24	69	5.0	7.0
6	吴惠桢	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	23	87	6.0	7.0
7	黄占超	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	7	18	3.0	4.0