对不同制备方法下的ZnO基薄膜晶体管透过率的研究

• 作者: 孙小斌 张福俊 徐征 王勇 袁广才 许洪华
• 来源期刊: 光子技术
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO-TFT 透过率 快速热退火
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 140-143
• 页数: 4页
• 分类号: TN304|TQ050|TB742
• 字数: 2378字
• 语种: 中文

摘要

文章主要是研究采用磁控溅射和电子束热蒸发两种制备方法来制备ZnO-TFT器件,并通过XRD和透射光谱来对样品的性质进行分析比较,得出采用溅射法制备的ZnO-TFT器件有源层的ZnO薄膜从结晶化程度、表面粗糙度及透过率都较采用电子束蒸发制得的ZnO薄膜优异,其有较好的c-axis(002)方向择优取向,器件的平均透过率在85%以上.并研究了退后处理对器件性能的影响,并发现快速热退火有利于薄膜的晶化,降低缺陷态密度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	许洪华	辽宁大学物理系	4	34	2.0	4.0
2	张福俊		5	13	2.0	3.0
3	徐征		12	89	6.0	9.0
4	袁广才		4	35	2.0	4.0
5	王勇		3	6	1.0	2.0