基于开关信号理论的电流型CMOS多值施密特电路设计

• 作者: 杭国强
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 开关信号理论 电流型CMOS电路 多值逻辑 施密特电路
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 科研通讯
• 页码范围: 924-927
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 2843字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2006.05.031

摘要

以开关信号理论为指导,建立了描述电流型CMOS多值施密特电路中阈值控制电路的电流传输开关运算.在此基础上,提出了新的电流型CMOS三值和四值施密特触发器设计.所设计的电路可提供多值电流和电压输出信号,回差电流的大小只需通过改变MOS管的尺寸比来调节.所提出的电路较之以往设计具有结构简单,回差值调整容易以及可在较低电压下工作等特点.采用TSMC 0.25μm CMOS工艺参数和1.5V电压的HSPICE模拟结果验证了所提出设计方案的有效性和电路所具有的理想回差特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杭国强	浙江大学信息与电子工程学系	43	205	7.0	12.0