不同过饱和度下DKDP晶体生长和缺陷的研究

• 作者: 孙洵 房昌水 李毅平 王圣来 王波 顾庆天
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 物理学
• 关键词: DKDP晶体 过饱和度 晶体生长 缺陷
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1047-1052
• 页数: 6页
• 分类号: O734
• 字数: 3714字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2006.05.004

摘要

过饱和度是影响DKDP晶体生长和质量的关键因素.本文采用"点籽晶"快速生长技术在不同的过饱和度下从氘化程度为75%的溶液中生长DKDP晶体并选取部分样品进行同步辐射X射线形貌术和粉末X射线衍射测试.研究了不同过饱和度下DKDP晶体的生长和缺陷.实验证明,DKDP晶体可以在＜4℃的过饱和度下实现快速生长,但晶体的缺陷随着过饱和度的增大而增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙洵	山东大学晶体材料国家重点实验室	51	403	11.0	17.0
2	房昌水	山东大学晶体材料国家重点实验室	53	430	13.0	19.0
3	王波	山东大学晶体材料国家重点实验室	96	496	12.0	18.0
4	王圣来	山东大学晶体材料国家重点实验室	43	448	12.0	18.0
5	顾庆天	山东大学晶体材料国家重点实验室	35	338	10.0	17.0
6	李毅平	山东大学晶体材料国家重点实验室	12	153	8.0	12.0