双栅动态阈值SOI nMOSFET数值模拟

• 作者: 吴峻峰 毕津顺 海潮和
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 双栅结构 动态阈值 全耗尽绝缘体上硅 nMOS场效应晶体管
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 35-40
• 页数: 6页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 995字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.01.008

摘要

提出了新型全耗尽SOI平面双栅动态阈值nMOS场效应晶体管,模拟并讨论了器件结构、相应的工艺技术和工作机理.对于nMOS器件,背栅n阱是通过剂量为3×1013cm-2,能量为250keV的磷离子注入实现的,并与n+前栅多晶硅直接相连.这项技术与体硅工艺完全兼容.通过Tsuprem4和Medici模拟,发现全耗尽SOI平面双栅动态阈值nMOSFET保持了传统全耗尽SOI nMOSFET的优势,消除了反常亚阈值斜率和kink效应,同时较传统全耗尽SOI nMOSFET有更加优秀的电流驱动能力和跨导特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	海潮和	中国科学院微电子研究所	72	277	9.0	13.0
2	吴峻峰	中国科学院微电子研究所	14	43	4.0	5.0
3	毕津顺	中国科学院微电子研究所	37	78	5.0	6.0