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摘要:
介绍了一个使用片外阻抗匹配网络的两级AB类功率预放大器并采用0.35 μm CMOS 六层金属工艺实现.电路在3.3 V电源电压下工作,静态电流为18 mA.测得功率预放大器具有10 dB的功率增益,最大有6 dBm输出功率到50 Ω负载,并且在1.9 GHz频率处获得了很好的线性度:输出三阶截点OIP3为9.4 dBm和输出1 dB压缩点OP1dB为-0.6 dBm.
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文献信息
篇名 一个高线性功率预放大器的设计
来源期刊 复旦学报(自然科学版) 学科 工学
关键词 CMOS 射频 AB类 功率预放大器 线性度
年,卷(期) 2006,(4) 所属期刊栏目 研究简报
研究方向 页码范围 546-549
页数 4页 分类号 TN402
字数 3257字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.0427-7104.2006.04.025
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 洪志良 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 161 1248 18.0 29.0
2 缪卫明 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 2 1 1.0 1.0
3 苏彦锋 8 49 4.0 7.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
CMOS
射频
AB类
功率预放大器
线性度
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
复旦学报(自然科学版)
双月刊
0427-7104
31-1330/N
16开
上海市邯郸路220号
4-193
1955
chi
出版文献量(篇)
2978
总下载数(次)
5
总被引数(次)
22578
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