缓冲层InxGa1-xAs组分对In0.82Ga0.18As结晶质量和表面形貌的影响

• 作者: 宋航 张铁民 李志明 缪国庆 蒋红 谢建春 金亿鑫
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 铟镓砷 金属有机化学气相沉积 X射线衍射 扫描电子显微镜
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 797-800
• 页数: 4页
• 分类号: O471.4
• 字数: 2360字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2006.05.032

摘要

采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,两步生长法在InP衬底上制备In0.82Ga0.18As材料.研究缓冲层InxGa1-xAs的In组分对In0.82Ga0.18As结晶质量和表面形貌的影响.X射线衍射(XRD)用于表征材料的组分和结晶质量.用扫描电子显微镜(SEM) 观察样品的表面形貌.实验结果表明,低温生长的缓冲层InxGa1-xAs的In组分影响高温生长的外延层In0.82Ga0.18As的结晶质量和表面形貌.测量得到四个样品的外延层In0.82Ga0.18As的X射线衍射谱峰半峰全宽(FWHM)为0.596°,0.468°,0.362°和0.391°,分别对应缓冲层In组分x=0.28,0.53,0.82,0.88,当缓冲层In组分是0.82时,FWHM最窄,表明样品的结晶质量最好.SEM观察四个样品的表面形貌,当缓冲层In组分是0.82时,样品的表面平整,没有出现交叉平行线或蚀坑等缺陷,表面形貌最佳.