少突胶质细胞电离辐射损伤机制的研究进展

• 作者: 包仕尧 田野 陈应柱
• 来源期刊: 辐射防护
• 关键词: 少突胶质细胞 电离辐射 细胞与分子机制
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 页码范围: 24-28,34
• 页数: 6页
• 分类号: R14
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-8187.2006.01.004

摘要

少突胶质细胞是中枢神经系统(CNS)电离辐射的重要靶细胞.了解少突胶质细胞的辐射损伤机制,对增强CNS对辐射耐受性、防护和治疗CNS的辐射损伤具有重要意义.本文介绍了电离辐射对少突胶质细胞膜的直接损伤、凋亡、氧化应激、诱导一系列基因表达、兴奋毒性损伤、神经营养因子缺乏、胶质细胞产物的作用等细胞机制,以及辐射诱导少突胶质细胞损伤的细胞凋亡信号转导及基因表达等分子机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	包仕尧	苏州大学附属第二医院苏州大学神经科学研究所	254	2208	23.0	35.0
2	田野	苏州大学附属第二医院苏州大学神经科学研究所	174	771	13.0	18.0
3	陈应柱	苏州大学附属第二医院苏州大学神经科学研究所	10	110	6.0	10.0