PBD分子对聚合物发光二极管特性的影响

• 作者: 彭俊彪 董海星
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 聚合物发光二极管 PBD 阻挡空穴
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 684-688
• 页数: 5页
• 分类号: TN381.1|TN873.3
• 字数: 2236字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2006.05.010

摘要

研究了由聚合物发光材料poly(2-methoxy,5-(2-ethylhexyloxy)-1,4-phenylene vinylene)(MEH-PPV)掺杂2-(4-biphenyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole(PBD)制成的发光层厚度为80, 170 nm的高分子发光器件(PLEDs).研究了PBD不同掺杂浓度时器件的电流密度-电压(J-V)和亮度-效率-电压(L-E-V)特性,发现PBD除传输电子外,还阻挡空穴的注入和传输.研究发现,PBD的最优掺杂浓度为20%,掺入PBD后MEH-PPV的EL光谱红移且发生窄化,当PBD掺杂浓度为40%时MEH-PPV的EL光谱窄化最明显,EL光谱半峰全宽从100 nm减小到44 nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭俊彪	华南理工大学特种功能材料及其制备新技术教育部重点实验室	63	524	15.0	20.0
2	董海星	华南理工大学高分子光电材料及器件研究所	1	1	1.0	1.0