离子注入诱导下制备薄的高弛豫SiGe

• 作者: 刘志弘 周卫 张伟 张兆健 李希有 许向东 郭福隆 钱佩信
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 弛豫SiGe UHV/CVD 离子注入
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 140-143
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 3017字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.034

摘要

通过离子注人硅衬底,在表面引入缺陷,诱导超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)生长的外延SiGe发生驰豫,以制备薄的高弛豫SiGe.利用微区Raman和Tapping AFM技术,对所生长的SiGe材料进行了表征.结果表明,上述方法能够制备厚度为100nm、弛豫度达94%的大面积(直径为125mm)均匀SiGe材料.然而,相同条件下,如果高能离子直接辐照SiGe层,将极大地损坏外延材料的晶体结构,得到多晶SiGe.此外,还通过选择性腐蚀外层SiGe的实验,对相关微观机制进行了研究.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张伟	清华大学微电子学研究所	180	2989	27.0	49.0
2	刘志弘	清华大学微电子学研究所	20	75	4.0	8.0
3	周卫	清华大学微电子学研究所	10	64	4.0	7.0
4	钱佩信	清华大学微电子学研究所	29	158	7.0	11.0
5	李希有	清华大学微电子学研究所	8	30	4.0	5.0
6	许向东	清华大学微电子学研究所	1	2	1.0	1.0
7	郭福隆	清华大学微电子学研究所	1	2	1.0	1.0
8	张兆健	清华大学微电子学研究所	1	2	1.0	1.0