MEVVA离子源制备Fe/Si系薄膜的颗粒污染问题

• 作者: 李晓娜 王秀敏 胡冰 董闯
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: 颗粒污染 MEVVA源 离子注入 Fe/Si薄膜
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 21-24
• 页数: 4页
• 分类号: TB43
• 字数: 3152字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-0322.2006.03.006

摘要

研究了MEVVA离子注入机在Fe/Si系薄膜制备过程中产生的颗粒污染问题以及颗粒污染对薄膜质量带来的影响.选取不同制备条件下的Fe/Si薄膜,采用电子探针、透射电镜等分析手段对颗粒污染给Fe/Si薄膜所造成的影响进行了详细的分析和讨论.分析结果表明,MEVVA源离子注入机产生的颗粒污染主要包括Fe、Al、C、O等几种元素,这其中Fe和Al元素的污染较为严重.不同注入时期引入的颗粒对Fe/Si系薄膜的质量会产生不同程度的影响,针对不同的影响可以找到一些解决方法来克服薄膜质量下降的问题.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董闯	大连理工大学三束国家重点实验室	198	2023	23.0	34.0
5	王秀敏	大连理工大学材料工程系	22	208	9.0	14.0
6	李晓娜	大连理工大学三束国家重点实验室	25	152	7.0	11.0
7	胡冰	大连理工大学三束国家重点实验室	4	22	2.0	4.0