高压LDMOS场极板的分析与设计

• 作者: 刘琦 刘磊 周蚌艳 柯导明 陈军宁 高珊
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 横向扩散金属氧化物半导体 单阶梯场板 双阶梯场板 击穿电压
• 年，卷（期）: 2006,（10）
• 所属期刊栏目: 支撑技术
• 页码范围: 782-786
• 页数: 5页
• 分类号: TN3
• 字数: 2928字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2006.10.017

摘要

场板是高压LDMOS中普遍使用的一种结终端技术,对单阶梯LDMOS场板的长度、其下方氧化层厚度以及场氧侵蚀厚度等参数进行了模拟和分析,在此基础上设计了一种新型体硅双阶梯场板LDMOS,并对其具体参数进行了细致的模拟和分析.模拟结果表明,双阶梯场板LDMOS的击穿电压比单阶梯场板LDMOS提高了15.3%,导通电阻降低了17.1%,电流驱动能力也提高了8.5%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘磊	安徽大学电子科学与技术学院	24	41	3.0	5.0
2	柯导明	安徽大学电子科学与技术学院	83	423	10.0	17.0
3	陈军宁	安徽大学电子科学与技术学院	160	1135	16.0	26.0
4	周蚌艳	安徽大学电子科学与技术学院	17	79	6.0	8.0
5	高珊	安徽大学电子科学与技术学院	28	89	6.0	8.0
6	刘琦	安徽大学电子科学与技术学院	5	27	3.0	5.0