用于MEMS器件制造的深反应离子刻蚀设备

• 作者: 伍波 张冬艳 李键志 禹庆荣 陈特超 龚杰洪
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 微电子机械系统 深反应离子 刻蚀 控制 设备
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 微纳制造
• 页码范围: 1415-1418
• 页数: 4页
• 分类号: TN4
• 字数: 2660字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2006.05.027

摘要

深反应离子刻蚀(DRIE)设备,主要应用于MEMS器件制造中Si材料的深槽刻蚀[1].介绍了一种用于硅材料的高深宽比反应离子刻蚀设备,采用ICP技术,刻蚀深宽比≥25∶1.着重阐述了该设备的结构组成、设计方法及控制方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈特超	中国电子科技集团公司第四十八研究所	21	38	3.0	5.0
2	禹庆荣	中国电子科技集团公司第四十八研究所	12	43	4.0	6.0
3	张冬艳	中国电子科技集团公司第四十八研究所	3	9	2.0	3.0
4	龚杰洪	中国电子科技集团公司第四十八研究所	8	22	3.0	4.0
5	伍波	中国电子科技集团公司第四十八研究所	1	6	1.0	1.0
6	李键志	中国电子科技集团公司第四十八研究所	1	6	1.0	1.0