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InSb红外焦平面器件γ辐照损伤初步研究
InSb红外焦平面器件γ辐照损伤初步研究
作者:
刘普霖
唐红兰
朱建妹
陈伯良
靳涛
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
红外焦平面
辐照损伤
InSb
γ射线
摘要:
用Co60作γ辐照源对InSb光伏二极管列阵和InSb凝视红外焦平面器件进行了高能辐照损伤实验.在5000 rad剂量下观测到二极管优值因子RoA下降了一个数量级,从3.6×105~4.3×105 Ω·cm2下降到2.5×104~2.7×104 Ω·cm2.在10000 rad及以上剂量观测到64×64元凝视焦平面热成像性能的显著退化.
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参数设计
关键技术
结果分析
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辐射效应
剂量率
退火效应
CMOS器件
大面阵红外焦平面探测器的漂移特性研究
焦平面
红外探测器
能量漂移
漂移补偿
内容分析
文献信息
引文网络
相关学者/机构
相关基金
期刊文献
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数
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文献信息
篇名
InSb红外焦平面器件γ辐照损伤初步研究
来源期刊
红外技术
学科
工学
关键词
红外焦平面
辐照损伤
InSb
γ射线
年,卷(期)
2006,(2)
所属期刊栏目
材料与器件
研究方向
页码范围
98-100
页数
3页
分类号
TN214
字数
2271字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1001-8891.2006.02.010
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
朱建妹
中国科学院上海技术物理研究所
2
14
1.0
2.0
2
靳涛
中国科学院新疆理化技术研究所
11
6
2.0
2.0
3
刘普霖
中国科学院上海技术物理研究所
4
72
1.0
4.0
4
陈伯良
中国科学院上海技术物理研究所
4
174
3.0
4.0
5
唐红兰
中国科学院上海技术物理研究所
1
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(0)
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(0)
二级引证文献
(0)
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参考文献(0)
二级参考文献(1)
1994(1)
参考文献(0)
二级参考文献(1)
1999(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2000(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2001(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2003(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2006(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
红外焦平面
辐照损伤
InSb
γ射线
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
红外技术
主办单位:
昆明物理研究所
中国兵工学会夜视技术专业委员会
出版周期:
月刊
ISSN:
1001-8891
CN:
53-1053/TN
开本:
大16开
出版地:
昆明市教场东路31号《红外技术》编辑部
邮发代号:
64-26
创刊时间:
1979
语种:
chi
出版文献量(篇)
3361
总下载数(次)
13
总被引数(次)
30858
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