体硅Double RESURF器件表面电场解析模型及优化设计

• 作者: 张波 李琦 李肇基
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 体硅 double RESURF 表面电场 优化设计
• 年，卷（期）: 2006,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1177-1182
• 页数: 6页
• 分类号: TN432
• 字数: 1555字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.07.005

摘要

提出了体硅double RESURF器件的表面电场和电势的解析模型.基于分区求解二维Poisson方程,获得double RESURF表面电场的解析表达式.借助此模型,研究了p-top区的结深,掺杂浓度和位置,漂移区的厚度和掺杂浓度,及衬底浓度对表面电场的影响;计算了漂移区长度,掺杂浓度和击穿电压的关系.从理论上揭示了获得最大击穿电压的条件.解析结果、验证结果和数值结果吻合良好.