BCD工艺中的NMOS管结漏电问题的研究

• 作者: 陈志勇 黄其煜 龚大卫
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 结穿刺 结漏电 阻挡层 应力 可靠性
• 年，卷（期）: 2006,（7）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 39-43
• 页数: 5页
• 分类号: TN305
• 字数: 2420字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2006.07.010

摘要

针对BCD工艺中出现的NMOS管结漏电问题进行研究,通过失效分析的方法发现有结穿刺现象,怀疑为金属阻挡层工艺窗口较小.为进一步调查金属阻挡层的工艺容宽,尝试采用了苛刻的多次合金的方法对当前使用的阻挡层进行考察,发现经过多次合金处理的产品成品率大幅下降,从而确认金属阻挡层的工艺容宽较小.为了改进工艺进行准直溅射阻挡层、不同的金属阻挡层厚度、RTP、小应力阻挡层等试验,并结合多次合金的方法对阻挡层进行了考核.实验结果表明,应力过大是NMOS管漏电的根本原因.最后研发出一种优化的小应力阻挡层菜单,并成功应用于BCD工艺量产中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄其煜	上海交通大学微电子学院	37	221	7.0	14.0
2	龚大卫		4	9	1.0	3.0
3	陈志勇	上海交通大学微电子学院	5	27	1.0	5.0