一种计算中、高能电子被分子散射总截面的修正势方法

• 作者: 刘玉芳 孙金锋 施德恒 朱遵略 马恒
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 电子散射 总截面 可加性规则 束缚原子
• 年，卷（期）: 2006,（8）
• 所属期刊栏目: 原子和分子物理学
• 页码范围: 4096-4102
• 页数: 7页
• 分类号: O56
• 字数: 5133字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.08.052

摘要

在考虑分子内成键原子间的电子云重叠效应的基础上,提出了一种能够在中、高能区准确计算"电子-分子"散射总截面的修正势方法.利用可加性规则及Hartree-Fock波函数,使用这一修正过的复光学势,在30-5000 eV内对电子被4个等电子(Z=18)分子(HCl,H2S,PH3和SiH4)散射的总截面进行了计算,并将理论计算值与实验结果及其他理论值进行了比较.结果表明,利用这一修正过的复光学势及可加性规则进行计算,所得理论值与实验结果更为接近.因此在复光学势中采用本文提出的这一修正方法,可提高中、高能电子被分子散射的总截面的计算准确性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉芳	河南师范大学物理与信息工程学院	156	576	11.0	17.0
2	施德恒	河南师范大学物理与信息工程学院	58	183	7.0	10.0
3	孙金锋	河南师范大学物理与信息工程学院	108	436	12.0	17.0
4	朱遵略	河南师范大学物理与信息工程学院	88	316	9.0	15.0
5	马恒	河南师范大学物理与信息工程学院	33	110	5.0	8.0