高压LDMOS功耗的分析

• 作者: 吴秀龙 孟坚 柯导明 陈军宁
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 横向双扩散金属氧化物半导体 功耗 数值模拟
• 年，卷（期）: 2006,（10）
• 所属期刊栏目: 封装测试技术
• 页码范围: 770-773,786
• 页数: 5页
• 分类号: TN3
• 字数: 2518字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2006.10.014

摘要

利用二维半导体器件模拟软件MEDICI对LDMOS进行了模拟.采用分段模型计算了器件各部分电阻值和总电阻值,并讨论了电阻值随器件结构参数以及外加偏压变化的情况,给出了高压LDMOS主要的功耗区及其变化情况.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴秀龙	安徽大学电子科学与技术学院	56	135	6.0	8.0
2	柯导明	安徽大学电子科学与技术学院	83	423	10.0	17.0
3	陈军宁	安徽大学电子科学与技术学院	160	1135	16.0	26.0
4	孟坚	安徽大学电子科学与技术学院	39	122	6.0	9.0