基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
设计了工作在2GHz,差分控制的单片LC压控振荡器,并利用0.18μm CMOS工艺实现.利用模拟和数字(4位二进制开关电容阵列)调频技术,压控振荡器的调频范围达到16.15%(1.8998~2.2335GHz).在2.158GHz工作频率下,在1MHz频偏处的相位噪声为-118.17dBc/Hz.应用给出的开关设计,相位噪声在不同的数字位控制下变化不超过3dB.由于利用pn结二级管作为变容管,在调频范围内,相位噪声仅改变约2dB.压控振荡器在1.8V电源电压下消耗2.1mA电流并能够在1.5V电源电压下正常工作.
推荐文章
低相位噪声低功耗LC压控振荡器的设计
压控振荡器
相位噪声
尾电流整形滤波
1.2GHz 0.9mw单片低功耗压控振荡器
压控振荡器
键合线
相噪声
低功耗
带温度补偿的低功耗CMOS环形压控振荡器设计
低功耗
CMOS环形压控振荡器
温度补偿
系统设计
一种新型低压低功耗伪差分环形压控振荡器设计
伪差分
低压低功耗
压控振荡器
相位噪声
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 2GHz低功耗差分控制的CMOS单片LC压控振荡器
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 二进制开关电容阵列 互补-MOS型集成电路 差分控制 相位噪声 压控振荡器
年,卷(期) 2006,(9) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 1543-1547
页数 5页 分类号 TN752
字数 498字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.09.005
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王志华 清华大学微电子学研究所 183 1964 21.0 36.0
2 陈弘毅 清华大学微电子学研究所 88 919 19.0 27.0
3 池保勇 清华大学微电子学研究所 40 271 9.0 15.0
4 张利 清华大学微电子学研究所 166 1426 18.0 35.0
5 姚金科 清华大学电子工程系 8 56 4.0 7.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (3)
节点文献
引证文献  (3)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (1)
1998(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2001(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2002(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2006(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
2009(2)
  • 引证文献(2)
  • 二级引证文献(0)
2011(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
2012(1)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(1)
研究主题发展历程
节点文献
二进制开关电容阵列
互补-MOS型集成电路
差分控制
相位噪声
压控振荡器
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
  • 期刊分类
  • 期刊(年)
  • 期刊(期)
  • 期刊推荐
论文1v1指导