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2GHz低功耗差分控制的CMOS单片LC压控振荡器
2GHz低功耗差分控制的CMOS单片LC压控振荡器
作者:
姚金科
张利
池保勇
王志华
陈弘毅
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
二进制开关电容阵列
互补-MOS型集成电路
差分控制
相位噪声
压控振荡器
摘要:
设计了工作在2GHz,差分控制的单片LC压控振荡器,并利用0.18μm CMOS工艺实现.利用模拟和数字(4位二进制开关电容阵列)调频技术,压控振荡器的调频范围达到16.15%(1.8998~2.2335GHz).在2.158GHz工作频率下,在1MHz频偏处的相位噪声为-118.17dBc/Hz.应用给出的开关设计,相位噪声在不同的数字位控制下变化不超过3dB.由于利用pn结二级管作为变容管,在调频范围内,相位噪声仅改变约2dB.压控振荡器在1.8V电源电压下消耗2.1mA电流并能够在1.5V电源电压下正常工作.
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温度补偿
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一种新型低压低功耗伪差分环形压控振荡器设计
伪差分
低压低功耗
压控振荡器
相位噪声
内容分析
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文献信息
篇名
2GHz低功耗差分控制的CMOS单片LC压控振荡器
来源期刊
半导体学报
学科
工学
关键词
二进制开关电容阵列
互补-MOS型集成电路
差分控制
相位噪声
压控振荡器
年,卷(期)
2006,(9)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
1543-1547
页数
5页
分类号
TN752
字数
498字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-4177.2006.09.005
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
王志华
清华大学微电子学研究所
183
1964
21.0
36.0
2
陈弘毅
清华大学微电子学研究所
88
919
19.0
27.0
3
池保勇
清华大学微电子学研究所
40
271
9.0
15.0
4
张利
清华大学微电子学研究所
166
1426
18.0
35.0
5
姚金科
清华大学电子工程系
8
56
4.0
7.0
传播情况
被引次数趋势
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献
(0)
共引文献
(0)
参考文献
(3)
节点文献
引证文献
(3)
同被引文献
(0)
二级引证文献
(1)
1998(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2001(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2002(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2006(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
2009(2)
引证文献(2)
二级引证文献(0)
2011(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2012(1)
引证文献(0)
二级引证文献(1)
研究主题发展历程
节点文献
二进制开关电容阵列
互补-MOS型集成电路
差分控制
相位噪声
压控振荡器
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:
the National Natural Science Foundation of China
官方网址:
http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:
青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:
数理科学
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