衬底温度对中频磁控溅射ZnO:Al透明导电薄膜性能的影响

• 作者: 孙建 熊强 耿新华 薛俊明 赵颖 马铁华 黄宇
• 来源期刊: 兵工学报
• 学科: 工学
• 关键词: 凝聚态物理学 中频磁控溅射 ZnO:Al(ZAO)薄膜 衬底温度 载流子浓度 霍尔迁移率
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 实验技术与分析
• 页码范围: 891-894
• 页数: 4页
• 分类号: TM914.4+2
• 字数: 2484字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-1093.2006.05.027

摘要

ZnO:Al(ZAO)薄膜的光学、电学以及结构特性与衬底温度有关,以掺杂质量2%Al的Zn(纯度99.99%)金属材料做靶,采用中频磁控溅射技术研究衬底温度对ZnO透明导电薄膜性能的影响,获得适合太阳电池的高效能薄膜,薄膜厚度700 nm左右,其电阻率为4.6×10-4Ω·m,载流子浓度1.98×1020 cm-3,霍尔迁移率61.9 cm2/(V·s),可见光范围内(波长400～800 nm)的平均透过率大于85%.