嵌入屏障的绝缘介质中电树生长模型

• 作者: 严萍 张适昌 谷琛
• 来源期刊: 高电压技术
• 学科: 工学
• 关键词: 击穿 屏障 仿真 耐电强度 绝缘介质 电树
• 年，卷（期）: 2006,（7）
• 所属期刊栏目: 专题论述
• 页码范围: 6-9
• 页数: 4页
• 分类号: TM83
• 字数: 2984字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-6520.2006.07.002

摘要

利用WZ模型将绝缘介质离散化,使用分形理论讨论了绝缘介质中电树发展的随机性和确定性.在原有WZ模型的基础上引入了分布耐电强度的概念,建立了新的模型.通过此二维模型仿真了在绝缘介质中嵌入了耐电强度高于原介质的屏障后的电树生长情况.在针板电极结构下用模型仿真了在绝缘介质中所嵌入屏障耐电强度的不同对电树发展造成的不同影响,并比较了不同情况下的平均击穿距离.通过比较得出,当嵌入耐电强度远大于原介质的屏障后,电树发展过程中需要绕过屏障进行生长,从而等效于增加了原有介质的厚度,使得整个介质的绝缘性能有一定程度的提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	严萍	中国科学院电工研究所	191	2402	27.0	36.0
2	张适昌	中国科学院电工研究所	33	665	15.0	25.0
3	谷琛	中国科学院电工研究所	4	58	4.0	4.0