半导体锗硅薄膜材料及相关工艺技术

• 作者: 王光伟
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 锗硅 薄膜材料 固相结晶 固相反应 集成电路
• 年，卷（期）: 2006,（12）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 881-886,891
• 页数: 7页
• 分类号: TN3
• 字数: 5277字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2006.12.001

摘要

综述了锗硅薄膜材料的特性与应用、制备技术、固相结晶、与过渡金属的固相反应等一系列内容,探讨了提高锗硅薄膜结晶度的工艺手段和各自的优缺点,分析了锗硅薄膜与钴等过渡金属固相反应的特点及在集成电路上的应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王光伟	天津工程师范大学电子工程系	18	78	5.0	8.0