单层片式晶界层半导体陶瓷材料研究进展

• 作者: 冯曦 周恒 李世晨 李振铎 林锋 贾贤赏
• 来源期刊: 矿冶
• 学科: 物理学
• 关键词: 晶界层半导体 陶瓷基片 陶瓷金属化 研究现状
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 冶金与材料科学
• 页码范围: 57-59,41
• 页数: 4页
• 分类号: O738
• 字数: 3378字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-7854.2006.01.016

摘要

片式电子元件进入了全面发展的新时期,对元件微型化、轻型化、复合化、高频化和高性能化的要求越来越迫切,新型单层片式晶界层半导体陶瓷材料适时得到发展.本文对单层片式晶界层半导体陶瓷材料国内外研究、生产现状及发展进行了综述;对单层片式晶界层半导体陶瓷材料的制备工艺:介质陶瓷材料选择、半导体陶瓷基片材料的制备和半导体陶瓷基片材料的金属化进行了分析;展望了单层片式晶界层半导体陶瓷材料的应用和发展前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林锋		11	70	5.0	8.0
2	冯曦	中南大学材料科学与工程学院	6	155	6.0	6.0
3	李世晨	中南大学材料科学与工程学院	66	1152	21.0	31.0
4	贾贤赏		12	85	5.0	9.0
5	李振铎		18	105	7.0	9.0
6	周恒		16	56	5.0	7.0