铝掺杂对非晶SiOx薄膜电致发光的影响

• 作者: 吴雪梅 李群 游泳 潘小青 王爱星 饶瑞昌
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: 铝 掺杂 薄膜 电致发光
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 19-21
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.2+1|O484.4
• 字数: 2160字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-0322.2006.06.006

摘要

为提高硅基薄膜(SiOx)发光材料的发光效率,采用双离子束溅射法制备了不同铝含量的Al-Si-SiO2薄膜.对所制备样品的电致发光(EL)测试表明:由于金属(Al)的掺入,使得在同样的电压下,薄膜中的电流随着铝含量的增加而增加;并且铝含量增大使得通过薄膜的电流增强,因而得到较高强度的电致发光.所以当硅基薄膜中掺入铝时,薄膜的发光效率得以提高;并且,随着铝含量的增加,薄膜的发光效率亦相应提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴雪梅	苏州大学物理科学与技术学院	72	331	9.0	13.0
2	王爱星	东华理工学院物理系	18	37	4.0	5.0
3	李群	东华理工学院物理系	13	16	2.0	3.0
4	游泳	东华理工学院物理系	12	54	2.0	7.0
5	潘小青	东华理工学院物理系	10	299	3.0	10.0
6	饶瑞昌	东华理工学院物理系	4	1	1.0	1.0