重掺砷硅单晶中痕量硼二次离子质谱定量分析的异常现象

• 作者: 方培源
• 来源期刊: 质谱学报
• 学科: 化学
• 关键词: 痕量硼 重掺砷单晶硅 SIMS定量分析 硅中氧
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 26-29
• 页数: 4页
• 分类号: O657.63|O613.8+1
• 字数: 2633字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-2997.2006.01.006

摘要

在用二次离子质谱(SIMS)进行重掺砷硅单晶中痕量硼的定量分析时,有时会出现硅片表面局部区域硼浓度非常高,接近1016atom/cm3的现象.但是只要把分析区域横向移动几百微米的距离,硼浓度就降到正常范围＜1×1014atom/em3.按重掺砷硅单晶制备工艺过程,硼在硅单晶中的分布应该是非常均匀的,而且存在这种硼浓度分布的异常硅单晶加工生产的n/n+外延片并没有出现质量问题.这说明硼浓度分布异常的情况也许是一个假像.本文将探索这一异常情况与硅中所存在的氧的相互关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	方培源	复旦大学材料科学系	12	76	5.0	8.0