用于无线PA的高频大功率Si1-xGex/Si HBT的设计和制作

• 作者: 姚飞 成步文 王启明 薛春来
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Si1-xGex/Si HBT 高频 大功率 无线功率放大器
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 9-13
• 页数: 5页
• 分类号: TN323+.4
• 字数: 586字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.01.003

摘要

采用简单的双台面工艺制作了完全平面结构的2个单元4个发射极指的SiGe HBT.在没有扣除测试结构的影响下,当直流偏置IC=10mA,VCE=2.5V时,FT和fmax分别为1.8和10.1GHz.增益β为144.25,BVCBO为9V.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王启明	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室	118	735	14.0	20.0
2	成步文	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室	41	185	8.0	10.0
3	姚飞	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室	16	70	6.0	7.0
4	薛春来	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室	24	77	6.0	7.0