一种低压低功耗SRAM/SOI单元设计

• 作者: 于洋 赵骞 邵志标
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SRAM/SOI 存储单元 自体偏压 低压低功耗
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 318-322
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 595字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.02.023

摘要

提出一种改进4管自体偏压结构SRAM/SOI单元.基于TSUPREM4和MEDICI软件的模拟和结构性能的分析,设计单元结构并选取结构参数.该结构采用nMOS栅下的含p+埋沟的衬底体电阻代替传统6管CMOSSRAM单元中的pMOS元件,具有面积小、工艺简单的优点.该结构可以在0.5V的电源电压下正常工作,与6管单元相比,该单元瞬态响应正常,功耗只有6管单元的1/10,满足低压低功耗的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邵志标	西安交通大学电子科学与技术系	42	180	9.0	10.0
2	于洋	西安交通大学电子科学与技术系	18	264	6.0	16.0
3	赵骞	西安交通大学电子科学与技术系	1	12	1.0	1.0