基底电位对硫醇自组装膜形成的影响

• 作者: 侯群超 刁鹏 张琦 王晓宁 郭敏 项民
• 来源期刊: 电化学
• 学科: 化学
• 关键词: 电化学 自组装膜 电位控制组装 硫醇
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 69-73
• 页数: 5页
• 分类号: O647
• 字数: 3067字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-3471.2006.01.014

摘要

应用电位阶跃法,在不同组装电位下制备金/正十二硫醇自组装单分子膜.交流阻抗谱表征该硫醇膜的电化学性质,发现金基底的电位对硫醇自组装膜的形成有重要影响.在-0.8～-0.4 V的电位区间内,随着组装电位的增加,该自组装膜的致密性、有序性增加,缺陷减少,并于0.4 V时达到最佳.组装电位高于0.4 V,膜的致密性、有序性降低,缺陷增多.本文为硫醇及其衍生物的电位调控组装提供了重要依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刁鹏	北京航空航天大学材料科学与工程学院应用化学系	30	266	9.0	16.0
2	张琦	北京航空航天大学材料科学与工程学院应用化学系	50	523	11.0	21.0
3	王晓宁	北京航空航天大学材料科学与工程学院应用化学系	1	3	1.0	1.0
4	侯群超	北京航空航天大学材料科学与工程学院应用化学系	3	13	2.0	3.0
5	郭敏	北京科技大学冶金与生态工程学院物理化学系	84	484	13.0	17.0
6	项民	北京航空航天大学材料科学与工程学院应用化学系	26	140	7.0	10.0