湿法氧化工艺对VCSEL器件性能的影响

• 作者: 李海军 赵英杰 郝永琴 钟景昌 马建立
• 来源期刊: 中国电子科学研究院学报
• 学科: 工学
• 关键词: 湿法氧化 垂直腔面发射激光器 尖晶石结构 应力
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 工程与应用
• 页码范围: 369-372
• 页数: 4页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 1861字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-5692.2006.04.015

摘要

在精确控制气体流量、温度等条件下对样品进行了湿法氧化实验.在SEM下观察了高铝氧化层的微观结构.讨论了高铝氧化限制层中氧化产物体积收缩产生的多孔结构对氧化反应的作用,以及收缩应力对有源区的影响.分析了氧化后器件串联电阻变大的原因.综合考虑这些因素,结合器件结构优化氧化层的设计,制备出了阈值电流低的、性能优良的VCSEL器件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钟景昌	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	20	129	7.0	10.0
2	赵英杰	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	21	148	7.0	11.0
3	李海军	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	13	26	3.0	4.0
4	郝永琴	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	2	4	2.0	2.0
5	马建立	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	3	20	2.0	3.0