用有限元方法分析Si/GaAs的键合热应力

• 作者: 何国荣 吴旭明 曹玉莲 杨国华 王小东 王青 郑婉华 陈良惠
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 键合 热应力 有限元分析
• 年，卷（期）: 2006,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1906-1910
• 页数: 5页
• 分类号: O485
• 字数: 271字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.11.004

摘要

在考虑材料热膨胀系数随温度变化后,采用有限元方法结合ANSYS软件对Si/GaAs键合热应力进行了分析,研究了普通应力、轴向应力和剪切力的分布云图和沿界面的分布.同时提出了新的键合结构以减小热应力的影响,计算结果证明了该结构的有效性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈良惠	中国科学院半导体研究所	59	338	11.0	15.0
2	王青	中国科学院半导体研究所	83	1420	20.0	35.0
3	曹玉莲	中国科学院半导体研究所	15	78	5.0	8.0
4	吴旭明	中国科学院半导体研究所	9	50	3.0	6.0
5	王小东	中国科学院半导体研究所	8	38	4.0	6.0
6	何国荣	中国科学院半导体研究所	10	50	3.0	6.0
7	郑婉华	中国科学院半导体研究所	23	102	7.0	9.0
8	杨国华	中国科学院半导体研究所	11	72	3.0	8.0