杂质对β-SiC非线性导电特性及防晕层起晕电压影响的研究

• 作者: 何俊峰 宁叔捷 杨剑桥 蒲永平 陈寿田
• 来源期刊: 陶瓷
• 学科: 工学
• 关键词: β-SiC 电阻率 非线性系数 影响因素 电晕材料
• 年，卷（期）: 2006,（10）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 20-23
• 页数: 4页
• 分类号: TQ17
• 字数: 3383字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-2872.2006.10.006

摘要

研究了不同杂质及其含量对β-SiC非线性导电特性的影响,并提出了单独利用β-SiC作为电机线圈防电晕材料的新方法.β-SiC微粉合成过程中,向其中掺杂V、Al等金属离子,可有效调控β-SiC的非线性导电特性;β-SiC微粉表面吸附的Fe、Al、Mg、Ca、Ti、V等金属氧化物杂质,随其含量的提高,β-SiC电阻率下降;随表面胶态SiO2含量的提高,β-SiC微粉电阻率提高,非线性系数增大.通过调节β-SiC微粉表面SiO2含量,可有效调节其防晕涂层表面电阻率ρs和起晕电压,随着β-SiC微粉表面SiO2含量增加,防晕涂层表面电阻率ρs和起晕电压也随之提高.β-SiC完全可单独用作电机线圈的防电晕材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈寿田	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	95	1522	23.0	33.0
2	蒲永平	陕西科技大学装备实验室	83	448	12.0	16.0
6	杨剑桥	陕西科技大学装备实验室	3	15	2.0	3.0
7	宁叔捷	陕西科技大学装备实验室	3	5	1.0	2.0
8	何俊峰	陕西科技大学装备实验室	2	13	2.0	2.0