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摘要:
根据光纤入户(FTTH)的应用特点,选用外延层厚度和电阻率各不相同的三种硅外延片,研制了用于FTTH的PIN硅光电探测器,并与硅单晶材料的PN结光电二极管进行了全程比对.测量结果表明,PIN探测器的暗电流可达10-11A量级,响应时间为2 ns.分析了Ⅰ层厚度和电阻率对探测器件暗电流、结电容和响应时间的影响及引起特性差别的原因,为设计能满足光纤通信要求的光电探测器提供了依据.
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文献信息
篇名 用于光纤通信的硅光电探测器的研制
来源期刊 光电子技术 学科 工学
关键词 光纤通信 硅光电探测器 PIN光电二极管 上升时间 暗电流
年,卷(期) 2006,(1) 所属期刊栏目 研究与试制
研究方向 页码范围 30-33
页数 4页 分类号 TN15
字数 2867字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1005-488X.2006.01.008
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陈炳若 武汉大学物理科学与技术学院 21 118 7.0 9.0
5 徐永泽 武汉大学物理科学与技术学院 1 4 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
光纤通信
硅光电探测器
PIN光电二极管
上升时间
暗电流
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
光电子技术
季刊
1005-488X
32-1347/TN
16开
南京中山东路524号(南京1601信箱43分箱)
1981
chi
出版文献量(篇)
1338
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4
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